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15亿定增获通过，华灿光电Mini/Micro业务起飞

摘要今日（10月19日），华灿光电发布两则公告，宣布公司向特定对象发行股票的注册穆林申请已获得证监会同意，将在规定期限内办理相关事宜。

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今日（10月19日），华灿光电发布两则公告，宣布公司向特定对象发行股票的注册申请已获得证监会同意，将在规定期限内办理相关事宜。

高工新型显示了解到，华灿光电于今年4月披露本次非公开发行股票预案，计划发行股票数量不超过327,648,428 股募集资金15亿元，用于Mini/Micro LED的研发与制造项目、GaN基电力电子器件的研发与制造项目。

其中Mini/Micro LED的研发与制造项目总投资约13.93亿元，拟投入募集资金12亿元，主要为巩固华灿光电在LED显示屏芯片市场的领先地位而实施的扩产项挤出机目。

据华灿光电相关公告，Mini/Micro LED的研发与制造项目主要生产产品包括Mini/Micro LED外延片、Mini/Micro LED芯片应努力提高工件表面粗糙度、重量、耦合程度等，可作为新型背光源、显示光源，应用于、电视、车用面板及电竞笔记本电脑等消费电子领域，以及AR、超大型显示广告牌等特殊显示应用产品，并有望扩展到可穿戴/可植入器件、虚拟现实、光通信/光互联等多个领域。

华灿并终究提高材料性能光电指出，全球LED市场和产业正面临着新一轮技术的更新换代，而Mini/M密封带icro LED技术将推动消费电子产品的升级，市场规模将逐步扩大。

据高工新型显示了解，2018年时华灿光电就已实现Mini LED显示芯片的应用并批量出货，2019年公司发布了新一代的Mini LED显示和背光芯片，产品一致性、可靠性等均大幅提升。近期，群创光电发布的55寸可卷曲（Rollable）AM Mini LED显示器，以及LG发布的163吋Micro LED电视，都采用了华灿光电的Mini LED芯片。

现阶段，华灿光电已开发完成RGB Mini LED芯片、车灯倒装LED芯片、背光Mini LED芯片、超高光效白光LED芯片、超大电流密度白光LED芯片等专项，积累了一批核心技术。

华灿光电预计碳原子的1个简单片层晶格却有使人难以置信的热和能量传导性能，Mini/Micro LED的研发与制造项目建成后，将实现年产95万片4英寸Mini/Micro LED外延片。预计将帮助华灿光电实现年均利润总额约2.53亿元，整体内部收益率（税后）为17.64%。

GaN基电力电子器件的研发与制造项目总投资3.16亿元，拟投入募集资金3亿元。

GaN属于第三代半导体材料，分支分配器因具备有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能等优点，具有极强的战略性和前瞻性，是支撑国防军备、5G移动通信、新能源汽车、云计算等产业发展的关键基础技术，也是我国近年重点投资方向。

而华灿光电在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料生长和光电子芯片制备方面，已经积累了丰富的技术开发、产业化和市场经验，本次投资将进一步完善公司化合物半导体战略布局。

据华灿光电介绍，GaN基电力电子器件的研发与制造项目建成后，将建立GaN功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链，主要面向智能、汽车电子、数据中心等市场应用。

按照规划，GaN基电力电子器件的研发与制造项目建成后，将实现年产1.33万片6英寸晶圆（折合4英寸3万片）的生产规模，预计帮助华灿光电实现年均利润总额4247万元。

华灿光电表示，本次募集资金投资项目的实施将使公司业务结构得到优化，由传统LED外延、芯片延伸至Mini/Micro LED、GaN功率删除没有记录试样的所有记录器件领域，有利于提高公司的收入与利润水平，增强竞争优势，提升未来整体盈利水平。